Oxidation-Induced Deep Levels in n - And p -Type 4H - And 6H -SiC and Their Influence on Carrier Lifetime
- I. D. Booker
- , H. Abdalla
- , J. Hassan
- , R. Karhu
- , L. Lilja
- , E. Janzén
- , E. Sveinbjörnsson
Rannsóknarafurð: Framlag til fræðitímarits › Grein › ritrýni